MBRAF3200T3G
IC
SMA-FL
可供量大可议
MBRAF3200T3G
该肖特基整流器运用肖特基势垒原理, 采用大面积金属-硅功率二极管。 先进几何结构具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。 该器件适用于低电压、高频率整流, 或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用, 其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
品牌
onsemi
封装
SMA-FL
库存
3
货期
现货
MBRAF3200T3G参数
| 封装 | SMA-FL |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 3 |
MBRAF3200T3G概述
该肖特基整流器运用肖特基势垒原理, 采用大面积金属-硅功率二极管。 先进几何结构具有带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。 该器件适用于低电压、高频率整流, 或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用, 其中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。
MBRAF3200T3G特性
暂无产品特性。
MBRAF3200T3G应用领域
暂无应用领域。
