MBRA2H100T3G-HXY
IC
SMA
可供量大可议
MBRA2H100T3G-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热性能有较高要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
130
货期
现货
MBRA2H100T3G-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 130 |
MBRA2H100T3G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为2A, 最大反向重复峰值电压(VR)达100V。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热性能有较高要求的电子电路中。
MBRA2H100T3G-HXY特性
暂无产品特性。
MBRA2H100T3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
