MBRA140T3G-HXY
IC
SMA
可供量大可议
MBRA140T3G-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其典型正向压降为0.55V, 在导通状态下能量损耗较低; 反向漏电流为500μA, 表现出合理的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于电源整流、信号箝位、极性保护以及高频开关电路等场景, 满足对效率与可靠性的基本需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
165
货期
现货
MBRA140T3G-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 165 |
MBRA140T3G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其典型正向压降为0.55V, 在导通状态下能量损耗较低; 反向漏电流为500μA, 表现出合理的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于电源整流、信号箝位、极性保护以及高频开关电路等场景, 满足对效率与可靠性的基本需求。
MBRA140T3G-HXY特性
暂无产品特性。
MBRA140T3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
