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MBRA140T3G-HXY
IC

SMA

可供量大可议

MBRA140T3G-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其典型正向压降为0.55V, 在导通状态下能量损耗较低; 反向漏电流为500μA, 表现出合理的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于电源整流、信号箝位、极性保护以及高频开关电路等场景, 满足对效率与可靠性的基本需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

165

货期

现货

MBRA140T3G-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存165

MBRA140T3G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为40V。 其典型正向压降为0.55V, 在导通状态下能量损耗较低; 反向漏电流为500μA, 表现出合理的阻断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于电源整流、信号箝位、极性保护以及高频开关电路等场景, 满足对效率与可靠性的基本需求。

MBRA140T3G-HXY特性

暂无产品特性。

MBRA140T3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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