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MBRA120ET3G-HXY
IC

SMA

可供量大可议

MBRA120ET3G-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源保护电路中, 尤其适合空间受限或需低热耗散的电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

160

货期

现货

MBRA120ET3G-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存160

MBRA120ET3G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源保护电路中, 尤其适合空间受限或需低热耗散的电子系统。

MBRA120ET3G-HXY特性

暂无产品特性。

MBRA120ET3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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