MBRA120ET3G-HXY
IC
SMA
可供量大可议
MBRA120ET3G-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源保护电路中, 尤其适合空间受限或需低热耗散的电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
160
货期
现货
MBRA120ET3G-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 160 |
MBRA120ET3G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有1A的额定正向电流和20V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为500μA。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有要求的整流、续流及电源保护电路中, 尤其适合空间受限或需低热耗散的电子系统。
MBRA120ET3G-HXY特性
暂无产品特性。
MBRA120ET3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
