MBR60100PTG
IC
TO-247
可供量大可议
MBR60100PTG
特性:低功率损耗, 高效率。 高浪涌能力。 用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 金属硅结, 多数载流子传导。 高电流能力, 低正向压降。 保护环用于过压保护
品牌
JSMSEMI
封装
TO-247
库存
31
货期
现货
MBR60100PTG参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 31 |
MBR60100PTG概述
特性:低功率损耗, 高效率。 高浪涌能力。 用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 金属硅结, 多数载流子传导。 高电流能力, 低正向压降。 保护环用于过压保护
MBR60100PTG特性
暂无产品特性。
MBR60100PTG应用领域
暂无应用领域。
