MBR5H100MFST1G
IC
DFN-5(5x6)
可供量大可议
MBR5H100MFST1G
特性：低功耗/高效率。 新封装， 可在电路板安装后进行检查和探测。 保护环， 用于应力保护。 低正向压降。 工作结温175℃。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准， 具备生产件批准程序能力。 这些是无铅器件
品牌
onsemi
封装
DFN-5(5x6)
库存
128
货期
现货
MBR5H100MFST1G参数
| 封装 | DFN-5(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 128 |
MBR5H100MFST1G概述
特性：低功耗/高效率。 新封装， 可在电路板安装后进行检查和探测。 保护环， 用于应力保护。 低正向压降。 工作结温175℃。 NRVB前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用； 符合AEC-Q101标准， 具备生产件批准程序能力。 这些是无铅器件
MBR5H100MFST1G特性
暂无产品特性。
MBR5H100MFST1G应用领域
暂无应用领域。