MBR5200_AY_10001
IC
DO-201AD
可供量大可议
MBR5200_AY_10001
特性：外延结构。 保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低功耗， 高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达150A峰值。 应用：低压、高频逆变器。 续流
品牌
PANJIT
封装
DO-201AD
库存
350
货期
现货
MBR5200_AY_10001参数
| 封装 | DO-201AD |
|---|---|
| 品牌 | PANJIT(强茂) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 350 |
MBR5200_AY_10001概述
特性：外延结构。 保护环芯片结构， 用于瞬态保护。 低功耗， 高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达150A峰值。 应用：低压、高频逆变器。 续流
MBR5200_AY_10001特性
暂无产品特性。
MBR5200_AY_10001应用领域
暂无应用领域。