MBR30H100CTG-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
MBR30H100CTG-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为30A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 在高电流应用中可有效控制功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出合理的反向阻断能力。 器件具备250A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)耐受能力, 适用于高频整流、大电流电源输出以及对热性能和效率有明确要求的电力电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
50
货期
现货
MBR30H100CTG-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 50 |
MBR30H100CTG-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为30A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 在高电流应用中可有效控制功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出合理的反向阻断能力。 器件具备250A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)耐受能力, 适用于高频整流、大电流电源输出以及对热性能和效率有明确要求的电力电子系统。
MBR30H100CTG-HXY特性
暂无产品特性。
MBR30H100CTG-HXY应用领域
暂无应用领域。
