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MBR30H100CTG-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

MBR30H100CTG-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为30A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 在高电流应用中可有效控制功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出合理的反向阻断能力。 器件具备250A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)耐受能力, 适用于高频整流、大电流电源输出以及对热性能和效率有明确要求的电力电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

50

货期

现货

MBR30H100CTG-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存50

MBR30H100CTG-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为30A, 最大反向电压(VR)为100V。 其正向压降(VF)典型值为0.8V, 在高电流应用中可有效控制功耗; 反向漏电流(IR)为100μA, 体现出合理的反向阻断能力。 器件具备250A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)耐受能力, 适用于高频整流、大电流电源输出以及对热性能和效率有明确要求的电力电子系统。

MBR30H100CTG-HXY特性

暂无产品特性。

MBR30H100CTG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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