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MBR3090FCTE3/TU-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

MBR3090FCTE3/TU-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 具有30A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降典型值为0.8V, 有助于降低导通功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA。 器件可承受高达250A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及需要高效能与低损耗的电力转换场合。 共阴极配置便于桥式或双路输出拓扑中的布局与连接。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

24

货期

现货

MBR3090FCTE3/TU-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存24

MBR3090FCTE3/TU-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 具有30A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降典型值为0.8V, 有助于降低导通功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA。 器件可承受高达250A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及需要高效能与低损耗的电力转换场合。 共阴极配置便于桥式或双路输出拓扑中的布局与连接。

MBR3090FCTE3/TU-HXY特性

暂无产品特性。

MBR3090FCTE3/TU-HXY应用领域

暂无应用领域。

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