MBR3090FCTE3/TU-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
MBR3090FCTE3/TU-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 具有30A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降典型值为0.8V, 有助于降低导通功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA。 器件可承受高达250A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及需要高效能与低损耗的电力转换场合。 共阴极配置便于桥式或双路输出拓扑中的布局与连接。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
24
货期
现货
MBR3090FCTE3/TU-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
MBR3090FCTE3/TU-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 具有30A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降典型值为0.8V, 有助于降低导通功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA。 器件可承受高达250A的非重复峰值浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级以及需要高效能与低损耗的电力转换场合。 共阴极配置便于桥式或双路输出拓扑中的布局与连接。
MBR3090FCTE3/TU-HXY特性
暂无产品特性。
MBR3090FCTE3/TU-HXY应用领域
暂无应用领域。
