MBR3060CGD
IC
TO-263AB
可供量大可议
MBR3060CGD
特性：高浪涌容量。 用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 金属硅结， 多数载流子传导。 高电流容量， 低正向压降。 用于过压保护的保护环
品牌
LGE
封装
TO-263AB
库存
50
货期
现货
MBR3060CGD参数
| 封装 | TO-263AB |
|---|---|
| 品牌 | LGE(鲁光) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 50 |
MBR3060CGD概述
特性：高浪涌容量。 用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 金属硅结， 多数载流子传导。 高电流容量， 低正向压降。 用于过压保护的保护环
MBR3060CGD特性
暂无产品特性。
MBR3060CGD应用领域
暂无应用领域。