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MBR3045STG-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

MBR3045STG-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定平均正向电流为30A, 最大反向重复峰值电压为45V。 其正向压降典型值为0.48V, 在导通状态下可有效减少功率损耗; 反向漏电流仅为40μA, 体现出优异的反向截止性能。 器件具备280A的浪涌正向电流承受能力, 适用于高效率电源转换、开关模式电源以及需要低损耗整流功能的电子系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

48

货期

现货

MBR3045STG-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

MBR3045STG-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定平均正向电流为30A, 最大反向重复峰值电压为45V。 其正向压降典型值为0.48V, 在导通状态下可有效减少功率损耗; 反向漏电流仅为40μA, 体现出优异的反向截止性能。 器件具备280A的浪涌正向电流承受能力, 适用于高效率电源转换、开关模式电源以及需要低损耗整流功能的电子系统中。

MBR3045STG-HXY特性

暂无产品特性。

MBR3045STG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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