MBR3045STG-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
MBR3045STG-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定平均正向电流为30A, 最大反向重复峰值电压为45V。 其正向压降典型值为0.48V, 在导通状态下可有效减少功率损耗; 反向漏电流仅为40μA, 体现出优异的反向截止性能。 器件具备280A的浪涌正向电流承受能力, 适用于高效率电源转换、开关模式电源以及需要低损耗整流功能的电子系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
48
货期
现货
MBR3045STG-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
MBR3045STG-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定平均正向电流为30A, 最大反向重复峰值电压为45V。 其正向压降典型值为0.48V, 在导通状态下可有效减少功率损耗; 反向漏电流仅为40μA, 体现出优异的反向截止性能。 器件具备280A的浪涌正向电流承受能力, 适用于高效率电源转换、开关模式电源以及需要低损耗整流功能的电子系统中。
MBR3045STG-HXY特性
暂无产品特性。
MBR3045STG-HXY应用领域
暂无应用领域。
