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MBR3040FCTE3/TU-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

MBR3040FCTE3/TU-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定平均正向电流(IF)为30A, 反向重复峰值电压(VR)为45V。 其正向压降(VF)低至0.48V, 有助于减少导通损耗并提升系统效率; 反向漏电流(IR)仅为40μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受高达280A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、开关电源输出级以及各类需要低损耗和高可靠性的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

49

货期

现货

MBR3040FCTE3/TU-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存49

MBR3040FCTE3/TU-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定平均正向电流(IF)为30A, 反向重复峰值电压(VR)为45V。 其正向压降(VF)低至0.48V, 有助于减少导通损耗并提升系统效率; 反向漏电流(IR)仅为40μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受高达280A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、开关电源输出级以及各类需要低损耗和高可靠性的电子电路中。

MBR3040FCTE3/TU-HXY特性

暂无产品特性。

MBR3040FCTE3/TU-HXY应用领域

暂无应用领域。

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