MBR3040FCTE3/TU-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
MBR3040FCTE3/TU-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定平均正向电流(IF)为30A, 反向重复峰值电压(VR)为45V。 其正向压降(VF)低至0.48V, 有助于减少导通损耗并提升系统效率; 反向漏电流(IR)仅为40μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受高达280A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、开关电源输出级以及各类需要低损耗和高可靠性的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
49
货期
现货
MBR3040FCTE3/TU-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 49 |
MBR3040FCTE3/TU-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定平均正向电流(IF)为30A, 反向重复峰值电压(VR)为45V。 其正向压降(VF)低至0.48V, 有助于减少导通损耗并提升系统效率; 反向漏电流(IR)仅为40μA, 体现出优异的反向阻断能力。 器件可承受高达280A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高效率电源整流、开关电源输出级以及各类需要低损耗和高可靠性的电子电路中。
MBR3040FCTE3/TU-HXY特性
暂无产品特性。
MBR3040FCTE3/TU-HXY应用领域
暂无应用领域。
