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MBR30100CTG
IC

TO-220AB

可供量大可议

MBR30100CTG

特性:共阴极结构。 低功耗和高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 应用:高频开关。 续流和极性保护应用

品牌

JSMSEMI

封装

TO-220AB

库存

100

货期

现货

MBR30100CTG参数

封装TO-220AB
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存100

MBR30100CTG概述

特性:共阴极结构。 低功耗和高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 应用:高频开关。 续流和极性保护应用

MBR30100CTG特性

暂无产品特性。

MBR30100CTG应用领域

暂无应用领域。

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