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MBR30100CTF-G1-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

MBR30100CTF-G1-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为0.82V, 在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流为100μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对效率与可靠性有要求的高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理系统等场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

39

货期

现货

MBR30100CTF-G1-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存39

MBR30100CTF-G1-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为0.82V, 在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流为100μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对效率与可靠性有要求的高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理系统等场合。

MBR30100CTF-G1-HXY特性

暂无产品特性。

MBR30100CTF-G1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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