MBR30100CTF-G1-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
MBR30100CTF-G1-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为0.82V, 在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流为100μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对效率与可靠性有要求的高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理系统等场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
39
货期
现货
MBR30100CTF-G1-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 39 |
MBR30100CTF-G1-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为30A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为0.82V, 在较高反向耐压下仍保持较低导通损耗; 反向漏电流为100μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受200A的非重复峰值浪涌电流, 适用于对效率与可靠性有要求的高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理系统等场合。
MBR30100CTF-G1-HXY特性
暂无产品特性。
MBR30100CTF-G1-HXY应用领域
暂无应用领域。
