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MBR2H200SFT3G-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

MBR2H200SFT3G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和200V的最大反向电压。 其正向压降为0.95V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为300μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达40A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于开关电源、高频整流、续流保护及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

40

货期

现货

MBR2H200SFT3G-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存40

MBR2H200SFT3G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有2A的额定正向电流和200V的最大反向电压。 其正向压降为0.95V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为300μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达40A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于开关电源、高频整流、续流保护及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。

MBR2H200SFT3G-HXY特性

暂无产品特性。

MBR2H200SFT3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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