库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
MBR2545CTG-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

MBR2545CTG-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的平均正向电流(IF)和45V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.48V, 有助于降低导通损耗, 同时反向漏电流(IR)仅为40μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达280A的浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流及高频开关电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

10

货期

现货

MBR2545CTG-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存10

MBR2545CTG-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的平均正向电流(IF)和45V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.48V, 有助于降低导通损耗, 同时反向漏电流(IR)仅为40μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达280A的浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流及高频开关电路场合。

MBR2545CTG-HXY特性

暂无产品特性。

MBR2545CTG-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件