MBR2545CTG-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
MBR2545CTG-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的平均正向电流(IF)和45V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.48V, 有助于降低导通损耗, 同时反向漏电流(IR)仅为40μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达280A的浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流及高频开关电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
10
货期
现货
MBR2545CTG-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
MBR2545CTG-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具有30A的平均正向电流(IF)和45V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)低至0.48V, 有助于降低导通损耗, 同时反向漏电流(IR)仅为40μA, 表现出良好的反向阻断特性。 器件可承受高达280A的浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力要求较高的电源整流及高频开关电路场合。
MBR2545CTG-HXY特性
暂无产品特性。
MBR2545CTG-HXY应用领域
暂无应用领域。
