MBR20H100CTG-E3/45-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
MBR20H100CTG-E3/45-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V, 正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)为20μA, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达200A。 其共阴极结构便于在双路输出或桥式整流等电路中简化布局, 较低的VF有助于减少导通损耗, 较高的IFSM能力使其能够承受瞬时大电流冲击, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及各类需要高可靠整流功能的电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
48
货期
现货
MBR20H100CTG-E3/45-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
MBR20H100CTG-E3/45-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V, 正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)为20μA, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达200A。 其共阴极结构便于在双路输出或桥式整流等电路中简化布局, 较低的VF有助于减少导通损耗, 较高的IFSM能力使其能够承受瞬时大电流冲击, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及各类需要高可靠整流功能的电子系统。
MBR20H100CTG-E3/45-HXY特性
暂无产品特性。
MBR20H100CTG-E3/45-HXY应用领域
暂无应用领域。
