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MBR20H100CTG-E3/45-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

MBR20H100CTG-E3/45-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V, 正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)为20μA, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达200A。 其共阴极结构便于在双路输出或桥式整流等电路中简化布局, 较低的VF有助于减少导通损耗, 较高的IFSM能力使其能够承受瞬时大电流冲击, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及各类需要高可靠整流功能的电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

48

货期

现货

MBR20H100CTG-E3/45-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存48

MBR20H100CTG-E3/45-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为100V, 正向压降(VF)典型值为0.85V, 反向漏电流(IR)为20μA, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达200A。 其共阴极结构便于在双路输出或桥式整流等电路中简化布局, 较低的VF有助于减少导通损耗, 较高的IFSM能力使其能够承受瞬时大电流冲击, 适用于高效率电源转换、开关模式电源及各类需要高可靠整流功能的电子系统。

MBR20H100CTG-E3/45-HXY特性

暂无产品特性。

MBR20H100CTG-E3/45-HXY应用领域

暂无应用领域。

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