MBR2090CT-M3/4W-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
MBR2090CT-M3/4W-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为20A, 最大反向电压为100V。 其正向压降为0.85V, 在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流为20μA, 具备良好的反向截止性能。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源及各类对效率和热管理有较高要求的电力转换场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
47
货期
现货
MBR2090CT-M3/4W-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 47 |
MBR2090CT-M3/4W-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流为20A, 最大反向电压为100V。 其正向压降为0.85V, 在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流为20μA, 具备良好的反向截止性能。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于高频整流、开关电源及各类对效率和热管理有较高要求的电力转换场合。
MBR2090CT-M3/4W-HXY特性
暂无产品特性。
MBR2090CT-M3/4W-HXY应用领域
暂无应用领域。
