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MBR20200CTF-G1-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

MBR20200CTF-G1-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的平均正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.2V, 在导通时维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)在额定条件下不超过100μA, 确保良好的关断特性。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率、热性能及瞬态耐受能力有较高要求的整流与续流应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

19

货期

现货

MBR20200CTF-G1-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存19

MBR20200CTF-G1-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的平均正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.2V, 在导通时维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)在额定条件下不超过100μA, 确保良好的关断特性。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率、热性能及瞬态耐受能力有较高要求的整流与续流应用场景。

MBR20200CTF-G1-HXY特性

暂无产品特性。

MBR20200CTF-G1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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