MBR20200CTF-G1-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
MBR20200CTF-G1-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的平均正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.2V, 在导通时维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)在额定条件下不超过100μA, 确保良好的关断特性。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率、热性能及瞬态耐受能力有较高要求的整流与续流应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
19
货期
现货
MBR20200CTF-G1-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 19 |
MBR20200CTF-G1-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的平均正向电流(IF)和200V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为1.2V, 在导通时维持较低的功耗; 反向漏电流(IR)在额定条件下不超过100μA, 确保良好的关断特性。 器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率、热性能及瞬态耐受能力有较高要求的整流与续流应用场景。
MBR20200CTF-G1-HXY特性
暂无产品特性。
MBR20200CTF-G1-HXY应用领域
暂无应用领域。
