MBR20200CG
IC
TO-263
可供量大可议
MBR20200CG
特性:批量处理设计, 出色的功率耗散提供更好的反向漏电流和热阻。 低功耗, 高效率。 高电流能力, 低正向压降。 高浪涌能力。 用于过压保护。 超高速开关。 硅外延平面芯片, 金属硅结。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228的环境标准。 后缀“-H”表示无卤部件
Brand
FUXINSEMI
Package
TO-263
Stock
1,933
货期
现货
MBR20200CGParameters
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | FUXINSEMI(富芯森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1933 |
MBR20200CG概述
特性:批量处理设计, 出色的功率耗散提供更好的反向漏电流和热阻。 低功耗, 高效率。 高电流能力, 低正向压降。 高浪涌能力。 用于过压保护。 超高速开关。 硅外延平面芯片, 金属硅结。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228的环境标准。 后缀“-H”表示无卤部件
MBR20200CG特性
暂无产品特性。
MBR20200CG应用领域
暂无应用领域。
