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MBR20200CG
IC

TO-263

可供量大可议

MBR20200CG

特性:批量处理设计, 出色的功率耗散提供更好的反向漏电流和热阻。 低功耗, 高效率。 高电流能力, 低正向压降。 高浪涌能力。 用于过压保护。 超高速开关。 硅外延平面芯片, 金属硅结。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228的环境标准。 后缀“-H”表示无卤部件

Brand

FUXINSEMI

Package

TO-263

Stock

1,933

货期

现货

MBR20200CGParameters

封装TO-263
品牌FUXINSEMI(富芯森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类肖特基二极管
库存1933

MBR20200CG概述

特性:批量处理设计, 出色的功率耗散提供更好的反向漏电流和热阻。 低功耗, 高效率。 高电流能力, 低正向压降。 高浪涌能力。 用于过压保护。 超高速开关。 硅外延平面芯片, 金属硅结。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228的环境标准。 后缀“-H”表示无卤部件

MBR20200CG特性

暂无产品特性。

MBR20200CG应用领域

暂无应用领域。

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