MBR20150SCT-G1-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
MBR20150SCT-G1-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为150V。 其正向压降(VF)为0.92V, 在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流(IR)低至20μA, 展现出良好的反向截止性能。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源及需要双路同步整流的电路拓扑中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
30
货期
现货
MBR20150SCT-G1-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
MBR20150SCT-G1-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为150V。 其正向压降(VF)为0.92V, 在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流(IR)低至20μA, 展现出良好的反向截止性能。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源及需要双路同步整流的电路拓扑中。
MBR20150SCT-G1-HXY特性
暂无产品特性。
MBR20150SCT-G1-HXY应用领域
暂无应用领域。
