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MBR20150SCT-G1-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

MBR20150SCT-G1-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为150V。 其正向压降(VF)为0.92V, 在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流(IR)低至20μA, 展现出良好的反向截止性能。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源及需要双路同步整流的电路拓扑中。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

30

货期

现货

MBR20150SCT-G1-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存30

MBR20150SCT-G1-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极结构, 额定正向电流(IF)为20A, 最大反向电压(VR)为150V。 其正向压降(VF)为0.92V, 在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗; 反向漏电流(IR)低至20μA, 展现出良好的反向截止性能。 器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源及需要双路同步整流的电路拓扑中。

MBR20150SCT-G1-HXY特性

暂无产品特性。

MBR20150SCT-G1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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