MBR20100CTF-G1-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
MBR20100CTF-G1-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件可承受高达175A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源以及需要低导通损耗的电路拓扑。 共阴极结构便于多路输出设计中的连接与布局, 有助于提升整体电路效率与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
20
货期
现货
MBR20100CTF-G1-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
MBR20100CTF-G1-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件可承受高达175A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源以及需要低导通损耗的电路拓扑。 共阴极结构便于多路输出设计中的连接与布局, 有助于提升整体电路效率与可靠性。
MBR20100CTF-G1-HXY特性
暂无产品特性。
MBR20100CTF-G1-HXY应用领域
暂无应用领域。
