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MBR20100CTF-G1-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

MBR20100CTF-G1-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件可承受高达175A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源以及需要低导通损耗的电路拓扑。 共阴极结构便于多路输出设计中的连接与布局, 有助于提升整体电路效率与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

20

货期

现货

MBR20100CTF-G1-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存20

MBR20100CTF-G1-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 具备20A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件可承受高达175A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源以及需要低导通损耗的电路拓扑。 共阴极结构便于多路输出设计中的连接与布局, 有助于提升整体电路效率与可靠性。

MBR20100CTF-G1-HXY特性

暂无产品特性。

MBR20100CTF-G1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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