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MBR1H100SFT3G-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

MBR1H100SFT3G-HXY

该肖特基二极管具有1A的正向平均电流能力, 可满足中等电流应用需求。 其最高反向重复峰值电压为100V, 适用于中低压直流电路。 正向导通压降仅为0.84V, 在导通状态下功耗较低, 有助于提升系统效率。 反向漏电流为40μA, 表现出良好的阻断特性。 该器件利用金属-半导体结实现快速开关, 无反向恢复时间, 适用于高频整流、电源极性保护、续流及开关电源等场景, 尤其适合对能效和响应速度有要求的便携式电子设备与通信装置中的功率管理电路。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

110

货期

现货

MBR1H100SFT3G-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存110

MBR1H100SFT3G-HXY概述

该肖特基二极管具有1A的正向平均电流能力, 可满足中等电流应用需求。 其最高反向重复峰值电压为100V, 适用于中低压直流电路。 正向导通压降仅为0.84V, 在导通状态下功耗较低, 有助于提升系统效率。 反向漏电流为40μA, 表现出良好的阻断特性。 该器件利用金属-半导体结实现快速开关, 无反向恢复时间, 适用于高频整流、电源极性保护、续流及开关电源等场景, 尤其适合对能效和响应速度有要求的便携式电子设备与通信装置中的功率管理电路。

MBR1H100SFT3G-HXY特性

暂无产品特性。

MBR1H100SFT3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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