MBR140SFT1G-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
MBR140SFT1G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过200μA, 体现出良好的隔离性能。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、箝位及开关电源等电路, 常见于消费电子、电源适配器及便携式设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
40
货期
现货
MBR140SFT1G-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
MBR140SFT1G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过200μA, 体现出良好的隔离性能。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、箝位及开关电源等电路, 常见于消费电子、电源适配器及便携式设备中。
MBR140SFT1G-HXY特性
暂无产品特性。
MBR140SFT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
