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MBR140SFT1G-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

MBR140SFT1G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过200μA, 体现出良好的隔离性能。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、箝位及开关电源等电路, 常见于消费电子、电源适配器及便携式设备中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

40

货期

现货

MBR140SFT1G-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存40

MBR140SFT1G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下维持较低的功耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)不超过200μA, 体现出良好的隔离性能。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态耐受能力有要求的整流、箝位及开关电源等电路, 常见于消费电子、电源适配器及便携式设备中。

MBR140SFT1G-HXY特性

暂无产品特性。

MBR140SFT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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