MBR140ESFT1G-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
MBR140ESFT1G-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在同类器件中处于合理范围。 器件可承受高达9A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景, 具备良好的热稳定性和开关特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
175
货期
现货
MBR140ESFT1G-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 175 |
MBR140ESFT1G-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在同类器件中处于合理范围。 器件可承受高达9A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景, 具备良好的热稳定性和开关特性。
MBR140ESFT1G-HXY特性
暂无产品特性。
MBR140ESFT1G-HXY应用领域
暂无应用领域。
