库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
MBR140ESFT1G-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

MBR140ESFT1G-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在同类器件中处于合理范围。 器件可承受高达9A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景, 具备良好的热稳定性和开关特性。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

175

货期

现货

MBR140ESFT1G-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存175

MBR140ESFT1G-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)达40V。 其正向压降(VF)典型值为0.6V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)为1000μA, 在同类器件中处于合理范围。 器件可承受高达9A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景, 具备良好的热稳定性和开关特性。

MBR140ESFT1G-HXY特性

暂无产品特性。

MBR140ESFT1G-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件