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MBR120ESFT3G-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

MBR120ESFT3G-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 正向压降典型值为0.55V, 在保持低导通损耗的同时具备良好的高频特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出场合。 其低VF特性有助于减少系统功耗, 提升整体能效表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

180

货期

现货

MBR120ESFT3G-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

MBR120ESFT3G-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 正向压降典型值为0.55V, 在保持低导通损耗的同时具备良好的高频特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出场合。 其低VF特性有助于减少系统功耗, 提升整体能效表现。

MBR120ESFT3G-HXY特性

暂无产品特性。

MBR120ESFT3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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