MBR120ESFT3G-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
MBR120ESFT3G-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 正向压降典型值为0.55V, 在保持低导通损耗的同时具备良好的高频特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出场合。 其低VF特性有助于减少系统功耗, 提升整体能效表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
180
货期
现货
MBR120ESFT3G-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
MBR120ESFT3G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为1A, 最大反向电压为20V, 正向压降典型值为0.55V, 在保持低导通损耗的同时具备良好的高频特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出场合。 其低VF特性有助于减少系统功耗, 提升整体能效表现。
MBR120ESFT3G-HXY特性
暂无产品特性。
MBR120ESFT3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
