MBR1090CT-M3/4W-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
MBR1090CT-M3/4W-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为10A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.77V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为2μA, 体现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关电路中, 能够有效提升系统整体能效与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
48
货期
现货
MBR1090CT-M3/4W-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 48 |
MBR1090CT-M3/4W-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为10A, 最大反向电压达100V。 其正向压降典型值为0.77V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为2μA, 体现出优异的反向阻断特性。 器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关电路中, 能够有效提升系统整体能效与可靠性。
MBR1090CT-M3/4W-HXY特性
暂无产品特性。
MBR1090CT-M3/4W-HXY应用领域
暂无应用领域。
