MBR10200CTF-G1-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
MBR10200CTF-G1-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向电压(VR)达200V。 其正向压降(VF)典型值为1.2V, 在25℃环境下的反向漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备优异的浪涌承受能力, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达120A。 此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的电源转换与高频开关电路中, 兼顾效率与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
40
货期
现货
MBR10200CTF-G1-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 40 |
MBR10200CTF-G1-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向电压(VR)达200V。 其正向压降(VF)典型值为1.2V, 在25℃环境下的反向漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备优异的浪涌承受能力, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达120A。 此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的电源转换与高频开关电路中, 兼顾效率与可靠性。
MBR10200CTF-G1-HXY特性
暂无产品特性。
MBR10200CTF-G1-HXY应用领域
暂无应用领域。
