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MBR10200CTF-G1-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

MBR10200CTF-G1-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向电压(VR)达200V。 其正向压降(VF)典型值为1.2V, 在25℃环境下的反向漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备优异的浪涌承受能力, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达120A。 此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的电源转换与高频开关电路中, 兼顾效率与可靠性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

40

货期

现货

MBR10200CTF-G1-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存40

MBR10200CTF-G1-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向电压(VR)达200V。 其正向压降(VF)典型值为1.2V, 在25℃环境下的反向漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备优异的浪涌承受能力, 最大正向浪涌电流(IFSM)可达120A。 此类结构适用于需要双路整流或钳位功能的电源转换与高频开关电路中, 兼顾效率与可靠性。

MBR10200CTF-G1-HXY特性

暂无产品特性。

MBR10200CTF-G1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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