MBR10100CTF-G1-HXY
IC
TO-220F
可供量大可议
MBR10100CTF-G1-HXY
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为10A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为1V, 在导通状态下维持相对较低的损耗; 反向漏电流为100μA, 具备良好的反向阻断能力。 器件可承受高达125A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对可靠性和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源转换电路。 共阴极结构有助于简化多路输出拓扑中的布线与布局。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F
库存
45
货期
现货
MBR10100CTF-G1-HXY参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 45 |
MBR10100CTF-G1-HXY概述
该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为10A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为1V, 在导通状态下维持相对较低的损耗; 反向漏电流为100μA, 具备良好的反向阻断能力。 器件可承受高达125A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对可靠性和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源转换电路。 共阴极结构有助于简化多路输出拓扑中的布线与布局。
MBR10100CTF-G1-HXY特性
暂无产品特性。
MBR10100CTF-G1-HXY应用领域
暂无应用领域。
