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MBR10100CTF-G1-HXY
IC

TO-220F

可供量大可议

MBR10100CTF-G1-HXY

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为10A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为1V, 在导通状态下维持相对较低的损耗; 反向漏电流为100μA, 具备良好的反向阻断能力。 器件可承受高达125A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对可靠性和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源转换电路。 共阴极结构有助于简化多路输出拓扑中的布线与布局。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F

库存

45

货期

现货

MBR10100CTF-G1-HXY参数

封装TO-220F
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存45

MBR10100CTF-G1-HXY概述

该肖特基二极管采用1对共阴极配置, 额定正向电流为10A, 最大反向电压达100V。 其正向压降为1V, 在导通状态下维持相对较低的损耗; 反向漏电流为100μA, 具备良好的反向阻断能力。 器件可承受高达125A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对可靠性和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源转换电路。 共阴极结构有助于简化多路输出拓扑中的布线与布局。

MBR10100CTF-G1-HXY特性

暂无产品特性。

MBR10100CTF-G1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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