MBR10100-E3/4W
IC
TO-220AC
可供量大可议
MBR10100-E3/4W
特性：沟槽MOS肖特基技术。 更低的功率损耗， 高效率。 低正向压降。 高正向浪涌能力。 高频操作。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值245℃（适用于TO-263AB封装）。 应用：开关电源的高频整流器。 续流二极管
品牌
VISHAY
封装
TO-220AC
库存
6
货期
现货
MBR10100-E3/4W参数
| 封装 | TO-220AC |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 6 |
MBR10100-E3/4W概述
特性：沟槽MOS肖特基技术。 更低的功率损耗， 高效率。 低正向压降。 高正向浪涌能力。 高频操作。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值245℃（适用于TO-263AB封装）。 应用：开关电源的高频整流器。 续流二极管
MBR10100-E3/4W特性
暂无产品特性。
MBR10100-E3/4W应用领域
暂无应用领域。