MBR0540-HXY
IC
SOD-123
可供量大可议
MBR0540-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.5A, 最大反向电压为40V。 其正向导通压降典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为80μA, 体现出良好的阻断性能。 器件可承受峰值达5.5A的非重复浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、箝位及电源切换电路, 常见于便携式电子设备、适配器及各类低电压电源系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123
库存
80
货期
现货
MBR0540-HXY参数
| 封装 | SOD-123 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 80 |
MBR0540-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为0.5A, 最大反向电压为40V。 其正向导通压降典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为80μA, 体现出良好的阻断性能。 器件可承受峰值达5.5A的非重复浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能有要求的整流、箝位及电源切换电路, 常见于便携式电子设备、适配器及各类低电压电源系统中。
MBR0540-HXY特性
暂无产品特性。
MBR0540-HXY应用领域
暂无应用领域。
