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MBR0530-HXY
IC

SOD-123

可供量大可议

MBR0530-HXY

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.5A的平均正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下为80μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达5.5A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123

库存

420

货期

现货

MBR0530-HXY参数

封装SOD-123
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类肖特基二极管
库存420

MBR0530-HXY概述

该肖特基二极管为独立式配置, 具有0.5A的平均正向电流(IF)和30V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流(IR)在最大反向电压下为80μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达5.5A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压输出场合。

MBR0530-HXY特性

暂无产品特性。

MBR0530-HXY应用领域

暂无应用领域。

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