MBQ40T120QESTH-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
MBQ40T120QESTH-HXY
本产品为IGBT管/模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在保证性能的同时有效控制导通损耗。 内置二极管可支持40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 表现出良好的导通特性和热稳定性。 该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计, 能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
2
货期
现货
MBQ40T120QESTH-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 2 |
MBQ40T120QESTH-HXY概述
本产品为IGBT管/模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在保证性能的同时有效控制导通损耗。 内置二极管可支持40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 表现出良好的导通特性和热稳定性。 该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计, 能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。
MBQ40T120QESTH-HXY特性
暂无产品特性。
MBQ40T120QESTH-HXY应用领域
暂无应用领域。
