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MBQ40T120QESTH-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

MBQ40T120QESTH-HXY

本产品为IGBT管/模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在保证性能的同时有效控制导通损耗。 内置二极管可支持40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 表现出良好的导通特性和热稳定性。 该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计, 能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

2

货期

现货

MBQ40T120QESTH-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存2

MBQ40T120QESTH-HXY概述

本产品为IGBT管/模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于较高电压与功率需求的电力电子系统。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在保证性能的同时有效控制导通损耗。 内置二极管可支持40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 表现出良好的导通特性和热稳定性。 该器件适合用于高频开关、电源转换及能量管理系统的电路设计, 能够满足对耐压能力与运行可靠性有要求的应用场景。

MBQ40T120QESTH-HXY特性

暂无产品特性。

MBQ40T120QESTH-HXY应用领域

暂无应用领域。

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