M95512-DWDW4TP/K
IC
TSSOP-8
可供量大可议
M95512-DWDW4TP/K
汽车用512 Kbit SPI总线EEPROM， 带高速时钟
品牌
ST
封装
TSSOP-8
库存
10
货期
现货
M95512-DWDW4TP/K参数
| 封装 | TSSOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 512Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V |
| 商品名称 | M95512 DWDW4TP/K |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | EEPROM |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 16MHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)； 硬件写保护功能； 内置错误纠正码(ECC)功能； 内置写使能锁存器(WEL)； 页写保护功能 |
| 工作温度 | -40℃~+145℃ |
| 商品型号 | M95512-DWDW4TP/K |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00049 |
M95512-DWDW4TP/K概述
M95512-A125和M95512-A145是512-Kbit串行EEPROM汽车级器件， 工作温度最高可达145℃。 它们符合汽车标准AEC-Q100等级0所定义的高可靠性水平。 这些器件通过简单的串行SPI兼容接口访问， 运行速度最高可达16 MHz。 存储阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦除可编程存储器）， 为字节可修改存储器（65536×8位）， 组织为512页， 每页128字节， 数据完整性至关重要。
M95512-DWDW4TP/K特性
- 兼容串行外设接口（SPI）总线
- 512 Kbit（64 Kbyte）EEPROM
- 页大小：128字节
- 支持按块写保护（1/4、1/2或整个存储器）
- 额外的可写锁定页（识别页）
- 扩展的温度和电压范围：最高125℃（VCC从1.7V到5.5V）
- 最高145℃（VCC从2.5V到5.5V）
- 高速时钟频率：VCC≥4.5V时为16 MHz
- VCC≥2.5V时为10 MHz
- VCC≥1.7V时为5 MHz
- 施密特触发器输入用于噪声滤波
- 短写入周期时间：字节写入在4 ms内
- 页写入在4 ms内
- 写入周期耐久性：25℃下400万次写入周期
- 85℃下120万次写入周期
- 125℃下60万次写入周期
- 145℃下40万次写入周期
- 数据保留：125℃下50年
- 25℃下100年
- ESD保护（人体模型）：4000 V
- 封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）
M95512-DWDW4TP/K应用领域
- 汽车领域（符合AEC-Q100等级0标准）
- 需高可靠性、宽温范围的串行存储应用场景
- 对数据完整性要求高的电子系统