M95128-DRMF3TG/K
自营可供
IC
DFN-8-EP(2x3)
M95128-DRMF3TG/K
EEPROM-存储器-IC-128Kb-（16K-x-8）-SPI-20MHz-8-MLP（2x3）
品牌
ST
封装
DFN-8-EP(2x3)
交期
现货
批次
22+
M95128-DRMF3TG/K参数
| 封装 | DFN-8-EP(2x3) |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 22+ |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 20MHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)； 页写保护功能； 硬件写保护功能； 内置错误纠正码(ECC)功能； 内置写使能锁存器(WEL) |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 商品型号 | M95128-DRMF3TG/K |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00024 |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 2,833 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 128Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V |
| 商品名称 | 支持高速时钟的汽车级128 Kbit串行SPI总线EEPROM |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | EEPROM |
M95128-DRMF3TG/K概述
EEPROM-存储器-IC-128Kb-（16K-x-8）-SPI-20MHz-8-MLP（2x3）
M95128-DRMF3TG/K特性
- 兼容串行外设接口（SPI）总线
- 存储阵列：128 Kbit（16 Kbyte）EEPROM
- 页大小：64字节
- 按块写保护：1/4、1/2或整个存储器
- 额外可写锁定页（标识页）
- 扩展的温度和电压范围：1.7V至5.5V时最高125℃
- 2.5V至5.5V时最高145℃
- 高速时钟频率：Vcc≥4.5V时20 MHz
- Vcc≥2.5V时10 MHz
- Vcc≥1.7V时5 MHz
- 施密特触发器输入用于噪声滤波
- 短写入周期时间：字节写入在4 ms内
- 页写入在4 ms内
- 写入周期耐久性：25℃时400万次写入周期
- 85℃时120万次写入周期
- 125℃时60万次写入周期
- 145℃时40万次写入周期
- 数据保留：125℃时50年
- 25℃时100年
- ESD保护（人体模型）：4000 V
- 封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）
M95128-DRMF3TG/K应用领域
- 汽车领域