M93C66-WMN6P
自营可供
IC
8-SO
M93C66-WMN6P
EEPROM -40℃~+85℃ 4Kbit SPI 2.5V~5.5V SO-8
品牌
ST
封装
8-SO
交期
现货
批次
23+
M93C66-WMN6P参数
| 封装 | 8-SO |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 23+ |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 2MHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)； 噪声抑制功能 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 待机电流 | 3uA |
| 商品型号 | M93C66-WMN6P |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | EEPROM |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 1,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 4Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V |
| 工作电流 | 2mA |
| 商品名称 | MICROWIRE串行访问EEPROM |
| 封装 | SO-8 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000165 |
M93C66-WMN6P概述
EEPROM -40℃~+85℃ 4Kbit SPI 2.5V~5.5V SO-8
M93C66-WMN6P特性
- 行业标准MICROWIRE™总线
- 单电源电压：M93Cx6-W为2.5V至5.5V， M93Cx6-R为1.8V至5.5V
- 双组织方式：按字（x16）或字节（x8）
- 支持字节、字或整个内存的编程指令
- 带自动擦除的自定时编程周期：5ms
- 编程期间的READY/BUSY信号
- 2MHz时钟速率
- 顺序读取操作
- 增强的ESD/闩锁行为
- 超过400万次写入周期
- 超过200年数据保留
- ECOPACK2（RoHS合规）和无卤素封装：DFN8、SO8N、TSSOP8