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M74VHC1GT126DF1G
IC

SOT-353

可供量大可议

M74VHC1GT126DF1G

MC74VHC1GT126 是一款单门极非反向 3 态缓冲器, 使用硅门极 CMOS 技术制造。 它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行, 同时还能保持 CMOS 低功耗。 MC74VHC1GT126 需要 3 态控制输入 (OE(bar)) 设置为低电平才能将输出置于高阻抗状态。 该器件输入可兼容 TTL 型输入阈值, 输出则具有全 CMOS 电平输出摆幅。 此器件上的输入保护电路允许输入上的耐过电压, 使得此器件能够用作从 3.0V CMOS 逻辑到 5.0V CMOS 逻辑, 或 1.8V CMOS 逻辑到 3.0V CMOS 逻辑的逻辑电平转换器, 且能在高电压电源下运行。 MC74VHC1GT126 输入结构在应用高达 5.5V 的电压时提供保护, 而无论电源电压如何。 因此使得 MC74VHC1GT126 可用作 5V 到 3V 电路的接口。 输出结构还会在 VCC = 0V 时提供保护。 这些输入和输出结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。

品牌

onsemi

封装

SOT-353

库存

80

货期

现货

M74VHC1GT126DF1G参数

封装SOT-353
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 5
分类缓冲器/驱动器/收发器
库存80

M74VHC1GT126DF1G概述

MC74VHC1GT126 是一款单门极非反向 3 态缓冲器, 使用硅门极 CMOS 技术制造。 它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行, 同时还能保持 CMOS 低功耗。 MC74VHC1GT126 需要 3 态控制输入 (OE(bar)) 设置为低电平才能将输出置于高阻抗状态。 该器件输入可兼容 TTL 型输入阈值, 输出则具有全 CMOS 电平输出摆幅。 此器件上的输入保护电路允许输入上的耐过电压, 使得此器件能够用作从 3.0V CMOS 逻辑到 5.0V CMOS 逻辑, 或 1.8V CMOS 逻辑到 3.0V CMOS 逻辑的逻辑电平转换器, 且能在高电压电源下运行。 MC74VHC1GT126 输入结构在应用高达 5.5V 的电压时提供保护, 而无论电源电压如何。 因此使得 MC74VHC1GT126 可用作 5V 到 3V 电路的接口。 输出结构还会在 VCC = 0V 时提供保护。 这些输入和输出结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。

M74VHC1GT126DF1G特性

暂无产品特性。

M74VHC1GT126DF1G应用领域

暂无应用领域。

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