M3SWA-2-50DRA+
IC
SMD
可供量大可议
M3SWA-2-50DRA+
M3SWA-2-50DRA+是一款高隔离快速切换吸收型SPDT开关， 集成了CMOS驱动器， 可在单正电源电压下工作， 同时消耗50μA的典型电流。 它设计用于宽带操作， 封装在一个小巧的3.25mmx3.25mm、8引脚封装中， 通过250VESD(HBM)测试。
品牌
Mini-Circuits
封装
SMD
库存
10
货期
现货
M3SWA-2-50DRA+参数
| 封装 | SMD |
|---|---|
| 品牌 | Mini-Circuits |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 频率 | 10MHz~4.5GHz |
| 插入损耗 | 0.8dB |
| 工作电压 | 3V~5V |
| 功能特性 | 集成控制逻辑 |
| 商品型号 | M3SWA-2-50DRA+ |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 7e-05 |
| 分类 | 射频开关 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| 电路结构 | 单刀双掷 |
| 隔离度 | 52dB |
| P1dB | 30dBm |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ |
| 商品名称 | 高速高隔离射频开关 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 射频开关 |
M3SWA-2-50DRA+概述
一款高隔离、快速切换的吸收式单刀双掷（SPDT）开关， 集成CMOS驱动器， 采用单正电源电压供电， 典型电流消耗为50 μA。 该开关专为宽带操作而设计， 采用3.25mm x 3.25mm的8引脚小型封装， 静电放电（HBM）耐受电压达250V。
M3SWA-2-50DRA+特性
- 高隔离度， 1 GHz时为52 dB
- 低插入损耗， 1 GHz时典型值为0.8 dB
- 低电源电流消耗， 典型值为50 μA
- 快速上升/下降时间， 典型值为16 ns
M3SWA-2-50DRA+应用领域
- 通信基础设施
- 测试与测量