M24C64-WMN6TP
自营可供
IC
SOIC-8
M24C64-WMN6TP
EEPROM -40℃~+85℃ 64Kbit I2C 2.5V~5.5V
品牌
ST
封装
SOIC-8
交期
现货
批次
26+
M24C64-WMN6TP参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 26+ |
| 接口类型 | I2C |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)； 硬件写保护功能； 内置错误纠正码(ECC)功能 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 待机电流 | 3uA |
| 商品型号 | M24C64-WMN6TP |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000235 |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 2,698 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 64Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V |
| 工作电流 | 5mA |
| 商品名称 | 64-Kbit串行I2C总线EEPROM |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | EEPROM |
M24C64-WMN6TP概述
EEPROM -40℃~+85℃ 64Kbit I2C 2.5V~5.5V
M24C64-WMN6TP特性
- 兼容所有I²C总线模式：1 MHz、400 kHz、100 kHz
- 存储阵列：64 Kbit（8 K字节）EEPROM
- 页大小32字节
- 额外的可写锁定页（适用于M24C64-D型号）
- 单电源电压：1.7V至5.5V（工作温度范围-40℃/+85℃）
- 写入速度：字节写入时间≤5ms
- 页写入时间≤5ms
- 支持随机和顺序读取模式
- 全存储阵列写保护
- 增强型ESD/闩锁保护
- 写入周期超过400万次
- 数据保留时间超过200年
- 符合RoHS标准且无卤素的封装