M24C16-DRMN8TP/K
自营可供
IC
SO-8
M24C16-DRMN8TP/K
EEPROM -40℃~+105℃ 16Kbit I2C 1.7V~5.5V SO-8
品牌
ST
封装
SO-8
交期
现货
批次
24+
M24C16-DRMN8TP/K参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 24+ |
| 接口类型 | I2C |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 50年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)； 硬件写保护功能； 内置错误纠正码(ECC)功能； 噪声抑制功能 |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
| 待机电流 | 3uA |
| 商品名称 | M24C16 DRMN8TP/K |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | EEPROM |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 2,010 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 16Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V |
| 工作电流 | 2mA |
| 读取访问时间(tA) | 450ns； 900ns |
| 商品型号 | M24C16-DRMN8TP/K |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000125455 |
M24C16-DRMN8TP/K概述
EEPROM -40℃~+105℃ 16Kbit I2C 1.7V~5.5V SO-8
M24C16-DRMN8TP/K特性
- 兼容所有I²C总线模式（1 MHz、400 kHz、100 kHz）
- 存储阵列：16K位（2KB）EEPROM， 页大小为16字节
- 额外的可写锁定页（识别页）
- 扩展的温度和电压范围：-40℃至105℃
- 1.7V至5.5V
- 用于噪声滤波的施密特触发器输入
- 短写入周期时间：字节写入在4ms内完成， 页写入在4ms内完成
- 写入周期耐久性：25℃下400万次写入周期
- 85℃下120万次写入周期
- 105℃下90万次写入周期
- 数据保留：105℃下超过50年
- 55℃下200年
- ESD保护（人体模型）：4000V
- 封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）
- 封装规格：TSSOP8（DW）宽度169 mil
- SO8（MN）宽度150 mil
- WFDFPN8（MF）尺寸2×3mm