M24C08-WMN6P
自营可供
IC
SO-8
M24C08-WMN6P
EEPROM -40℃~+85℃ 8Kbit I2C 2.5V~5.5V
品牌
ST
封装
SO-8
交期
现货
批次
两年外
M24C08-WMN6P参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 两年外 |
| 接口类型 | I2C |
| 时钟频率(fc) | 400kHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)； 硬件写保护功能 |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 1,200 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 8Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V |
M24C08-WMN6P概述
EEPROM -40℃~+85℃ 8Kbit I2C 2.5V~5.5V
M24C08-WMN6P特性
- 容量：8Kbit（1024 字节， 字节可寻址）。
- 接口：I2C（双线串行总线）， 兼容标准模式与快速模式（最高 400 kHz）。
- 供电电压：2.5 V ~ 5.5 V， 适配 3.3V 与 5V 系统。
- 写入周期时间（Tw）：典型 5 ms（页写入完成所需最大时间）。
- 擦写寿命：写周期寿命高达 4,000,000 次（适用于高写入频率场景）。
- 数据保持（TDR）：典型 200 年（在规范条件下的数据保持期）。
- 工作温度：-40 ℃ ～ +85 ℃， 工业级温度范围。
- 封装：SO-8（商用/工业常用封装）， 订单型号 M24C08-WMN6P。
- 写保护：带写保护功能（WP 引脚）， 可实现硬件写锁定。
- 支持标准模式与快速模式， 最高 SCL 频率 400 kHz。
- I2C 总线上需外接上拉电阻（SDA、SCL）， 根据总线容量与速率选择合适阻值（常用 2.2kΩ ~ 10kΩ）。
- 器件响应主机的 START/STOP、读写位与 ACK/NACK 信号， 写入周期期间内部进行数据写入且会在总线上进行应答延展（clock stretching）或 NACK， 主机应在写入后等待 Tw 指定时间或轮询 ACK 以确认写入完成。
- 工作电压：2.5 V ~ 5.5 V， 适应多种电源方案， 降低电源管理复杂度。
- 工作温度：-40 ℃ ～ +85 ℃， 适合工业与消费电子长期工作。
- 建议在 VCC 侧加 0.1 μF 陶瓷旁路电容， 靠近器件引脚以降低电源噪声对写入的影响。
- 注意 IO 电平与系统总线电平兼容， 防止在不匹配电平下造成总线冲突或损坏。
M24C08-WMN6P应用领域
- 嵌入式系统配置参数、校准数据与设备 ID 存储。
- 工业控制器、仪表与传感器模块的非易失性数据保持。
- 消费电子设备中的设置记忆、序列号与小容量固件镜像。
- 汽车电子（在符合温度与可靠性要求的前提下）与电表、网络设备等。