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M24C02-RMN6TP
自营可供
IC

SOIC-8

M24C02-RMN6TP

EEPROM -40℃~+85℃ 2Kbit I2C 1.8V~5.5V

品牌

ST

封装

SOIC-8

交期

现货

批次

两年内

M24C02-RMN6TP参数

封装SOIC-8
品牌ST(意法半导体)
批次两年内
接口类型I2C
时钟频率(fc)400kHz
数据保留 - TDR(年)200年
功能特性内置上电复位(POR); 硬件写保护功能
工作温度-40℃~+85℃
待机电流1uA
商品名称1Kbit和2Kbit串行I²C总线EEPROM
包装方式编带
商品类型EEPROM
分类EEPROM
库存177,273
MOQ / SPQ1 / 1
存储容量2Kbit
写周期时间(Tw)5ms
写周期寿命400万次
工作电压1.8V~5.5V
工作电流0.8mA
读取访问时间(tA)3450ns; 900ns
商品型号M24C02-RMN6TP
单位个
商品重量0.0004085

M24C02-RMN6TP概述

EEPROM -40℃~+85℃ 2Kbit I2C 1.8V~5.5V

M24C02-RMN6TP特性

  • 兼容I²C总线模式:400kHz和100kHz
  • 存储阵列:1Kbit(128字节)EEPROM或2Kbit(256字节)EEPROM
  • 页大小:16字节
  • 单电源电压变体:M24C01/02-W(2.5V至5.5V)、M24C01/02-R(1.8V至5.5V)、M24C02-F(全温度范围1.7V至5.5V, 有限温度范围1.6V至1.7V)
  • 写入操作:字节写入时间不超过5ms, 页写入时间不超过5ms
  • 工作温度范围:-40℃至+85℃
  • 支持随机和顺序读取模式
  • 整个存储阵列的写保护功能
  • 增强型ESD/闩锁保护
  • 超过400万次写入周期
  • 超过200年的数据保持时间
  • 封装符合RoHS标准且无卤素(ECOPACK2®)

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