M24C02-DRMF3TG/K
自营可供
IC
DFN-8-EP(2x3)
M24C02-DRMF3TG/K
EEPROM 1MHz 2Kbit I2C 1.8V~5.5V
品牌
ST
封装
DFN-8-EP(2x3)
交期
现货
批次
26+
M24C02-DRMF3TG/K参数
| 封装 | DFN-8-EP(2x3) |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 26+ |
| 接口类型 | I2C |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| 数据保留 - TDR(年) | 50年 |
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)； 硬件写保护功能； 噪声抑制功能； 内置错误纠正码(ECC)功能 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 待机电流 | 20uA |
| 商品名称 | 支持1 MHz时钟的汽车级2 Kbit串行I2C总线EEPROM |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | EEPROM |
| 分类 | EEPROM |
|---|---|
| 库存 | 14,392 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 2Kbit |
| 写周期时间(Tw) | 4ms |
| 写周期寿命 | 60万次 |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V |
| 工作电流 | 2mA |
| 读取访问时间(tA) | 450ns； 900ns |
| 商品型号 | M24C02-DRMF3TG/K |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 9.2e-05 |
M24C02-DRMF3TG/K概述
EEPROM 1MHz 2Kbit I2C 1.8V~5.5V
M24C02-DRMF3TG/K特性
- 兼容所有I²C总线模式（1MHz、400kHz、100kHz）
- 内存阵列：2Kbits（256字节）EEPROM， 页大小16字节
- 额外的可写锁定识别页（16字节）
- 扩展的温度和电压范围：-40℃至125℃， 1.7V至5.5V
- 施密特触发器输入用于噪声过滤
- 短写入周期时间：字节写入在4ms内， 页写入在4ms内
- 写入周期耐久性：25℃下4百万次， 85℃下1.2百万次， 125℃下600k次
- 数据保留：125℃下50年， 25℃下100年
- ESD保护（人体模型）：4000V
- 封装：TSSOP8（DW）169 mil宽度、SO8（MN）150 mil宽度、WFDFPN8（MF）2×3mm
- 符合RoHS和无卤素标准（ECOPACK2®）
M24C02-DRMF3TG/K应用领域
- 适用于汽车电子系统