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M24C01-WMN6P
自营可供
IC

SO-8

M24C01-WMN6P

EEPROM -40℃~+85℃ 1Kbit I2C 2.5V~5.5V SO-8

品牌

ST

封装

SO-8

交期

现货

批次

23+

M24C01-WMN6P参数

封装SO-8
品牌ST(意法半导体)
批次23+
接口类型I2C
时钟频率(fc)400kHz
数据保留 - TDR(年)200年
功能特性内置上电复位(POR); 硬件写保护功能
工作温度-40℃~+85℃
待机电流3uA
商品名称1Kbit和2Kbit串行I²C总线EEPROM
包装方式管装
商品类型EEPROM
分类EEPROM
库存2,749
MOQ / SPQ1 / 1
存储容量1Kbit
写周期时间(Tw)5ms
写周期寿命400万次
工作电压2.5V~5.5V
工作电流1mA
读取访问时间(tA)900ns
商品型号M24C01-WMN6P
单位个
商品重量7e-05

M24C01-WMN6P概述

EEPROM -40℃~+85℃ 1Kbit I2C 2.5V~5.5V SO-8

M24C01-WMN6P特性

  • 兼容I²C总线模式:400kHz和100kHz
  • 存储阵列:1Kbit(128字节)EEPROM
  • 2Kbit(256字节)EEPROM
  • 页大小:16字节
  • 单电源电压:M24C01/02-W(2.5V至5.5V)、M24C01/02-R(1.8V至5.5V)、M24C02-F(1.7V至5.5V全温/1.6V至1.7V限温)
  • 写入性能:字节写入≤5ms、页写入≤5ms
  • 工作温度范围:-40℃至+85℃
  • 支持随机和顺序读取模式
  • 整个存储阵列写保护功能
  • 增强型ESD/闩锁保护
  • 写入周期超过400万次
  • 数据保留期超过200年
  • 封装类型:TSSOP8(169mil宽度)、SO8(150mil宽度)、PDIP8(不推荐新设计)、UFDFPN8(2×3mm)、UFDFPN5(1.7×1.4mm)
  • 符合RoHS标准且无卤素(ECOPACK2®)

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