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M24512-DRDW8TP/K
自营可供
IC

8-TSSOP

M24512-DRDW8TP/K

EEPROM -40℃~+105℃ 512Kbit I2C 1.8V~5.5V

品牌

ST

封装

8-TSSOP

交期

现货

批次

26+

M24512-DRDW8TP/K参数

封装8-TSSOP
品牌ST(意法半导体)
批次26+
接口类型I2C
时钟频率(fc)1MHz
数据保留 - TDR(年)50年
功能特性内置上电复位(POR); 硬件写保护功能; 噪声抑制功能; 内置错误纠正码(ECC)功能
工作温度-40℃~+105℃
待机电流5uA
商品名称512 Kbit串行I2C总线EEPROM, 可在105℃环境下工作
封装TSSOP-8
单位个
商品重量0.00025
分类EEPROM
库存4,000
MOQ / SPQ1 / 1
存储容量512Kbit
写周期时间(Tw)4ms
写周期寿命400万次
工作电压1.7V~5.5V
工作电流2mA
读取访问时间(tA)900ns
商品型号M24512-DRDW8TP/K
包装方式编带
商品类型EEPROM

M24512-DRDW8TP/K概述

EEPROM -40℃~+105℃ 512Kbit I2C 1.8V~5.5V

M24512-DRDW8TP/K特性

  • 兼容所有I²C总线模式(1 MHz、400 kHz、100 kHz)
  • 存储阵列:512 Kbits(64 Kbytes)EEPROM, 页大小128字节
  • 额外可写锁定页(识别页)
  • 扩展温度和电压范围:-40℃至105℃
  • 1.7V至5.5V
  • 施密特触发器输入用于噪声滤波
  • 短写入周期时间:字节写入4ms内, 页写入4ms内
  • 写入周期耐久性:25℃下400万次, 85℃下120万次, 105℃下90万次
  • 数据保留:105℃下超过50年, 55℃下200年
  • ESD保护(人体模型):4000V
  • 封装符合RoHS且无卤素(ECOPACK2®)

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M24512-DRDW8TP/K ST | IC-CHIP B2B