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LXA15T600-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

LXA15T600-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备低导通损耗特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)达100A, 可在瞬态过载条件下保持稳定工作。 得益于碳化硅材料的优异性能, 该器件具有快速开关响应和高效率表现, 适用于高频电源转换、开关电源及各类高效整流场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

LXA15T600-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

LXA15T600-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备低导通损耗特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)达100A, 可在瞬态过载条件下保持稳定工作。 得益于碳化硅材料的优异性能, 该器件具有快速开关响应和高效率表现, 适用于高频电源转换、开关电源及各类高效整流场合。

LXA15T600-HXY特性

暂无产品特性。

LXA15T600-HXY应用领域

暂无应用领域。

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