LXA15T600-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
LXA15T600-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备低导通损耗特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)达100A, 可在瞬态过载条件下保持稳定工作。 得益于碳化硅材料的优异性能, 该器件具有快速开关响应和高效率表现, 适用于高频电源转换、开关电源及各类高效整流场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
LXA15T600-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
LXA15T600-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为15A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 具备低导通损耗特性。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)达100A, 可在瞬态过载条件下保持稳定工作。 得益于碳化硅材料的优异性能, 该器件具有快速开关响应和高效率表现, 适用于高频电源转换、开关电源及各类高效整流场合。
LXA15T600-HXY特性
暂无产品特性。
LXA15T600-HXY应用领域
暂无应用领域。
