LXA10T600-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
LXA10T600-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 凭借碳化硅材料特性, 在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源、开关模式电源及高频整流等应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
39
货期
现货
LXA10T600-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 39 |
LXA10T600-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 凭借碳化硅材料特性, 在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源、开关模式电源及高频整流等应用场合。
LXA10T600-HXY特性
暂无产品特性。
LXA10T600-HXY应用领域
暂无应用领域。
