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LXA10T600-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

LXA10T600-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 凭借碳化硅材料特性, 在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源、开关模式电源及高频整流等应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

39

货期

现货

LXA10T600-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存39

LXA10T600-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 正向压降(VF)为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 凭借碳化硅材料特性, 在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗与良好的热稳定性, 适用于高效率电源、开关模式电源及高频整流等应用场合。

LXA10T600-HXY特性

暂无产品特性。

LXA10T600-HXY应用领域

暂无应用领域。

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