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LXA10FP600-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

LXA10FP600-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 展现出较低的导通损耗。 器件可承受80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和热稳定性要求较高的电源系统。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关条件下仍能保持优异的性能, 适合用于高功率密度的电力转换场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

24

货期

现货

LXA10FP600-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

LXA10FP600-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 展现出较低的导通损耗。 器件可承受80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和热稳定性要求较高的电源系统。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关条件下仍能保持优异的性能, 适合用于高功率密度的电力转换场合。

LXA10FP600-HXY特性

暂无产品特性。

LXA10FP600-HXY应用领域

暂无应用领域。

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