LXA10FP600-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
LXA10FP600-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 展现出较低的导通损耗。 器件可承受80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和热稳定性要求较高的电源系统。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关条件下仍能保持优异的性能, 适合用于高功率密度的电力转换场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
24
货期
现货
LXA10FP600-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
LXA10FP600-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复峰值电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 展现出较低的导通损耗。 器件可承受80A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和热稳定性要求较高的电源系统。 得益于碳化硅材料的特性, 其在高频开关条件下仍能保持优异的性能, 适合用于高功率密度的电力转换场合。
LXA10FP600-HXY特性
暂无产品特性。
LXA10FP600-HXY应用领域
暂无应用领域。
