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LXA04T600-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

LXA04T600-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。 其电气参数组合使其在高密度功率模块及高效整流应用中具备良好的适配性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

22

货期

现货

LXA04T600-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存22

LXA04T600-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为4A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 典型正向压降(VF)为1.53V, 在浪涌条件下可承受高达32A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 凭借碳化硅材料的特性, 器件在高频、高温环境下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。 其电气参数组合使其在高密度功率模块及高效整流应用中具备良好的适配性。

LXA04T600-HXY特性

暂无产品特性。

LXA04T600-HXY应用领域

暂无应用领域。

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