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LWT4008AD3
IC

PDFN-8L(3.3x3.3)

可供量大可议

LWT4008AD3

采用先进SGT技术设计的N沟道功率MOSFET, 具备低栅极电荷和导通电阻, 适用于电池开关、高频电路和电源管理

品牌

Lewa Micro

封装

PDFN-8L(3.3x3.3)

库存

4,645

货期

现货

LWT4008AD3参数

封装PDFN-8L(3.3x3.3)
品牌Lewa Micro(乐瓦微电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存4645

LWT4008AD3概述

采用先进SGT技术设计的N沟道功率MOSFET, 具备低栅极电荷和导通电阻, 适用于电池开关、高频电路和电源管理

LWT4008AD3特性

暂无产品特性。

LWT4008AD3应用领域

暂无应用领域。

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